Numéro de produit du fabricant:
IPB054N08N3GATMA1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IPB054N08N3GATMA1-DG
Description:
MOSFET N-CH 80V 80A D2PAK
Description détaillée:
N-Channel 80 V 80A (Tc) 150W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventaire:
2888 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12800290
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SOUMETTRE
IPB054N08N3GATMA1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
OptiMOS™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
80 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
80A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
5.4mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 90µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
69 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
4750 pF @ 40 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
150W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TO263-3
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numéro de produit de base
IPB054
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,000
Autres noms
IPB054N08N3 GCT-DG
IPB054N08N3GATMA1CT
SP000395166
IPB054N08N3 GDKR
IPB054N08N3GATMA1TR
IPB054N08N3GATMA1DKR
IPB054N08N3 GTR-DG
IPB054N08N3 G
IPB054N08N3 GDKR-DG
IPB054N08N3 G-DG
IPB054N08N3 GCT
IPB054N08N3G
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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