IPB054N06N3GATMA1
Numéro de produit du fabricant:

IPB054N06N3GATMA1

Product Overview

Fabricant:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Numéro de pièce:

IPB054N06N3GATMA1-DG

Description:

MOSFET N-CH 60V 80A D2PAK
Description détaillée:
N-Channel 60 V 80A (Tc) 115W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3

Inventaire:

1043 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13063972
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
num_del num_add
*
*
*
*
eSh2
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE

IPB054N06N3GATMA1 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
OptiMOS™
Emballage
Tape & Reel (TR)
État de la pièce
Last Time Buy
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
80A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
5.4mOhm @ 80A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 58µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
82 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
6600 pF @ 30 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
115W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TO263-3
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numéro de produit de base
IPB054

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
1,000
Autres noms
IPB054N06N3 G
2156-IPB054N06N3GATMA1
IPB054N06N3GATMA1TR
IFEINFIPB054N06N3GATMA1
IPB054N06N3 GCT
IPB054N06N3GATMA1DKR
SP000446782
IPB054N06N3 GDKR-ND
IPB054N06N3 GCT-ND
IPB054N06N3 GDKR
IPB054N06N3GATMA1CT
IPB054N06N3 GTR-ND
IPB054N06N3G
IPB054N06N3 G-ND

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095

Modèles alternatifs

NUMÉRO DE PIÈCE
BUK966R5-60E,118
FABRICANT
Nexperia USA Inc.
QUANTITÉ DISPONIBLE
4779
NUMÉRO DE PIÈCE
BUK966R5-60E,118-DG
PRIX UNITAIRE
0.89
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
STB150NF55T4
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
969
NUMÉRO DE PIÈCE
STB150NF55T4-DG
PRIX UNITAIRE
1.68
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
FDB5800
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
460
NUMÉRO DE PIÈCE
FDB5800-DG
PRIX UNITAIRE
1.27
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
IRF3205ZSTRLPBF
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
2650
NUMÉRO DE PIÈCE
IRF3205ZSTRLPBF-DG
PRIX UNITAIRE
0.70
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
PSMN4R6-60BS,118
FABRICANT
Nexperia USA Inc.
QUANTITÉ DISPONIBLE
10374
NUMÉRO DE PIÈCE
PSMN4R6-60BS,118-DG
PRIX UNITAIRE
0.87
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
Produits Connexes
infineon-technologies

IPB60R190P6ATMA1

MOSFET N-CH 600V 20.2A D2PAK

infineon-technologies

IPD60R520C6BTMA1

MOSFET N-CH 600V 8.1A TO252-3

infineon-technologies

IPD30N08S222ATMA1

MOSFET N-CH 75V 30A TO252-3

infineon-technologies

IPA60R950C6XKSA1

MOSFET N-CH 600V 4.4A TO220-FP