Numéro de produit du fabricant:
IPB038N12N3GATMA1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IPB038N12N3GATMA1-DG
Description:
MOSFET N-CH 120V 120A D2PAK
Description détaillée:
N-Channel 120 V 120A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-3
Inventaire:
1575 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12800955
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SOUMETTRE
IPB038N12N3GATMA1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
OptiMOS™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
120 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
120A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
3.8mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 270µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
211 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
13800 pF @ 60 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
300W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TO263-3
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Numéro de produit de base
IPB038
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,000
Autres noms
IPB038N12N3 GTR
IPB038N12N3 GCT
IPB038N12N3 G
IPB038N12N3G
IPB038N12N3GATMA1CT
IPB038N12N3 GDKR-DG
IPB038N12N3 GCT-DG
IPB038N12N3 GDKR
IPB038N12N3 GTR-DG
IPB038N12N3GATMA1DKR
IPB038N12N3 G-DG
IPB038N12N3GATMA1TR
SP000694160
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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