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FAQ
Numéro de produit du fabricant:
IPB034N06N3GATMA1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IPB034N06N3GATMA1-DG
Description:
MOSFET N-CH 60V 100A TO263-7
Description détaillée:
N-Channel 60 V 100A (Tc) 167W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
Inventaire:
Demande de devis en ligne
12800491
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SOUMETTRE
IPB034N06N3GATMA1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
-
Série
OptiMOS™
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
100A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
3.4mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 93µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
130 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
11000 pF @ 30 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
167W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TO263-7
Emballage / Caisse
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Numéro de produit de base
IPB034N
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,000
Autres noms
IPB034N06N3 GDKR-DG
IPB034N06N3 GTR
IPB034N06N3 GDKR
SP000397990
IPB034N06N3 G
IPB034N06N3GATMA1TR
IPB034N06N3GATMA1DKR
IPB034N06N3 GCT
IPB034N06N3G
IPB034N06N3GATMA1CT
IPB034N06N3 GTR-DG
IPB034N06N3 GCT-DG
IPB034N06N3 G-DG
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IPB034N06N3GATMA2
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
IPB034N06N3GATMA2-DG
PRIX UNITAIRE
0.57
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
NUMÉRO DE PIÈCE
IPB017N06N3GATMA1
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
9000
NUMÉRO DE PIÈCE
IPB017N06N3GATMA1-DG
PRIX UNITAIRE
1.54
TYPE DE SUBSTITUT
Direct
Certification DIGI
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