Numéro de produit du fabricant:
IPB019N08N5ATMA1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IPB019N08N5ATMA1-DG
Description:
MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Description détaillée:
N-Channel 80 V 180A (Tc) 224W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
Inventaire:
847 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12802513
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SOUMETTRE
IPB019N08N5ATMA1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
OptiMOS™ 5
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
80 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
180A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
1.95mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 154µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
123 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
8970 pF @ 40 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
224W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TO263-7
Emballage / Caisse
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Numéro de produit de base
IPB019
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,000
Autres noms
IPB019N08N5ATMA1-DG
448-IPB019N08N5ATMA1DKR
SP001691928
448-IPB019N08N5ATMA1CT
448-IPB019N08N5ATMA1TR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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