Numéro de produit du fabricant:
IPB019N08N3GATMA1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IPB019N08N3GATMA1-DG
Description:
MOSFET N-CH 80V 180A TO263-7
Description détaillée:
N-Channel 80 V 180A (Tc) 300W (Tc) Surface Mount PG-TO263-7
Inventaire:
8632 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12800599
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
IPB019N08N3GATMA1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
OptiMOS™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
80 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
180A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
1.9mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 270µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
206 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
14200 pF @ 40 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
300W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TO263-7
Emballage / Caisse
TO-263-7, D2PAK (6 Leads + Tab)
Numéro de produit de base
IPB019
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,000
Autres noms
IPB019N08N3GATMA1CT
IPB019N08N3 G-DG
IPB019N08N3 G
Q4136793
IPB019N08N3 GCT
IPB019N08N3 GTR-DG
IPB019N08N3GATMA1TR
SP000444110
2832-IPB019N08N3GATMA1-TR
IPB019N08N3G
IPB019N08N3 GCT-DG
IPB019N08N3 GDKR-DG
IPB019N08N3 GDKR
IPB019N08N3GATMA1DKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
IPI25N06S3L-22
MOSFET N-CH 55V 25A TO262-3
IPB117N20NFDATMA1
MOSFET N-CH 200V 84A TO263-3
IPC100N04S5L1R5ATMA1
MOSFET N-CH 40V 100A 8TDSON-34
