Numéro de produit du fabricant:
IPAN80R450P7XKSA1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IPAN80R450P7XKSA1-DG
Description:
MOSFET N-CH 800V 11A TO220-3-31
Description détaillée:
N-Channel 800 V 11A (Tc) 29W (Tc) Through Hole PG-TO220-3-FP
Inventaire:
372 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12847694
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SOUMETTRE
IPAN80R450P7XKSA1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tube
Série
CoolMOS™ P7
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
800 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
11A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
450mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 220µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
24 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
770 pF @ 500 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
29W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TO220-3-FP
Emballage / Caisse
TO-220-3 Full Pack
Numéro de produit de base
IPAN80
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
SP001632932
IFEINFIPAN80R450P7XKSA1
2156-IPAN80R450P7XKSA1
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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