Numéro de produit du fabricant:
IPA60R099P6XKSA1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IPA60R099P6XKSA1-DG
Description:
MOSFET N-CH 600V 37.9A TO220-FP
Description détaillée:
N-Channel 600 V 37.9A (Tc) 34W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Inventaire:
487 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12800575
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
IPA60R099P6XKSA1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tube
Série
CoolMOS™ P6
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
37.9A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
99mOhm @ 14.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.5V @ 1.21mA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
70 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
3330 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
34W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TO220-FP
Emballage / Caisse
TO-220-3 Full Pack
Numéro de produit de base
IPA60R099
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
2156-IPA60R099P6XKSA1
SP001114654
448-IPA60R099P6XKSA1
IPA60R099P6XKSA1-DG
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
IPP08CNE8N G
MOSFET N-CH 85V 95A TO220-3
IPB020N10N5LFATMA1
MOSFET N-CH 100V 120A TO263-3
IPB65R150CFDATMA2
MOSFET N-CH 650V 22.4A TO263-3
