Numéro de produit du fabricant:
IPA50R650CE
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IPA50R650CE-DG
Description:
MOSFET N-CH 500V 6.1A TO220-FP
Description détaillée:
N-Channel 500 V 6.1A (Tc) 27.2W (Tc) Through Hole PG-TO220-FP
Inventaire:
12799170
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SOUMETTRE
IPA50R650CE Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
-
Série
CoolMOS™
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
500 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
6.1A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
13V
rds activé (max) @ id, vgs
650mOhm @ 1.8A, 13V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.5V @ 150µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
15 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
342 pF @ 100 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
27.2W (Tc)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TO220-FP
Emballage / Caisse
TO-220-3 Full Pack
Numéro de produit de base
IPA50R
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
IPA50R650CEXKSA1
SP000992086
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
STF10N60M2
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
2606
NUMÉRO DE PIÈCE
STF10N60M2-DG
PRIX UNITAIRE
0.53
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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