Numéro de produit du fabricant:
IGT60R070D1ATMA1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IGT60R070D1ATMA1-DG
Description:
GANFET N-CH 600V 31A 8HSOF
Description détaillée:
N-Channel 600 V 31A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-8-3
Inventaire:
12800944
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SOUMETTRE
IGT60R070D1ATMA1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Série
CoolGaN™
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
GaNFET (Gallium Nitride)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
31A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
-
rds activé (max) @ id, vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
1.6V @ 2.6mA
Vgs (max.)
-10V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
380 pF @ 400 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
125W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-HSOF-8-3
Emballage / Caisse
8-PowerSFN
Numéro de produit de base
IGT60R070
Fiche technique & Documents
Présentation du produit
Fiche de Données HTML
Documents de fiabilité
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,000
Autres noms
SP001300364
IGT60R070D1ATMA1DKR
IGT60R070D1ATMA1CT
2156-IGT60R070D1ATMA1TR
IGT60R070D1ATMA1TR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IGT60R070D1ATMA4
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
3044
NUMÉRO DE PIÈCE
IGT60R070D1ATMA4-DG
PRIX UNITAIRE
7.24
TYPE DE SUBSTITUT
Direct
Certification DIGI
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