IAUC120N04S6L005ATMA1
Numéro de produit du fabricant:

IAUC120N04S6L005ATMA1

Product Overview

Fabricant:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Numéro de pièce:

IAUC120N04S6L005ATMA1-DG

Description:

IAUC120N04S6L005ATMA1
Description détaillée:
N-Channel 40 V 120A (Tj) 187W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-53

Inventaire:

4682 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12980260
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SOUMETTRE

IAUC120N04S6L005ATMA1 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
OptiMOS™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
40 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
120A (Tj)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
0.55mOhm @ 60A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 130µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
177 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±16V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
11203 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
187W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Grade
Automotive
Qualification
AEC-Q101
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TDSON-8-53
Emballage / Caisse
8-PowerTDFN
Numéro de produit de base
IAUC120

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
5,000
Autres noms
448-IAUC120N04S6L005ATMA1CT
448-IAUC120N04S6L005ATMA1DKR
SP001723538
448-IAUC120N04S6L005ATMA1TR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
international-rectifier

IRFSL7537PBF

MOSFET N-CH 60V 173A TO262

onsemi

FCPF190N60-F154

MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220F-3

fairchild-semiconductor

FCH170N60

MOSFET N-CH 600V 22A TO247-3

fairchild-semiconductor

FCH125N60E

MOSFET N-CH 600V 29A TO247-3