Numéro de produit du fabricant:
IAUA180N08S5N026AUMA1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IAUA180N08S5N026AUMA1-DG
Description:
MOSFET_(75V 120V( PG-HSOF-5
Description détaillée:
N-Channel 80 V 180A (Tj) 179W (Tc) Surface Mount PG-HSOF-5-4
Inventaire:
1570 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12973774
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SOUMETTRE
IAUA180N08S5N026AUMA1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
OptiMOS™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
80 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
180A (Tj)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
2.6mOhm @ 90A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 100µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
87 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
5980 pF @ 40 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
179W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-HSOF-5-4
Emballage / Caisse
5-PowerSFN
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,000
Autres noms
SP005423387
448-IAUA180N08S5N026AUMA1DKR
448-IAUA180N08S5N026AUMA1CT
448-IAUA180N08S5N026AUMA1TR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
3 (168 Hours)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
NTP055N65S3H
MOSFET N-CH 650V 47A TO220-3
PJQ4408P_R2_00001
30V N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE M
PJD10P10A_L2_00001
100V P-CHANNEL MOSFET
