Numéro de produit du fabricant:
BUZ73AE3046XK
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
BUZ73AE3046XK-DG
Description:
MOSFET N-CH 200V 5.5A TO220-3
Description détaillée:
N-Channel 200 V 5.5A (Tc) 40W (Tc) Through Hole PG-TO220-3
Inventaire:
12801267
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SOUMETTRE
BUZ73AE3046XK Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
-
Série
SIPMOS®
État du produit
Discontinued at Digi-Key
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
200 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
5.5A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
600mOhm @ 4.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
530 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
40W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TO220-3
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
BUZ73
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
500
Autres noms
BUZ73A E3046-DG
BUZ73A E3046
BUZ73AE3046X
2156-BUZ73AE3046XK-IT
SP000011962
IFEINFBUZ73AE3046XK
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IRF630
FABRICANT
Harris Corporation
QUANTITÉ DISPONIBLE
11535
NUMÉRO DE PIÈCE
IRF630-DG
PRIX UNITAIRE
0.80
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
IRF630PBF
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
5461
NUMÉRO DE PIÈCE
IRF630PBF-DG
PRIX UNITAIRE
0.51
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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