Numéro de produit du fabricant:
BTS113ANKSA1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
BTS113ANKSA1-DG
Description:
MOSFET N-CH 60V 11.5A TO220AB
Description détaillée:
N-Channel 60 V 11.5A (Tc) 40W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventaire:
12799809
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SOUMETTRE
BTS113ANKSA1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
-
Série
TEMPFET®
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
11.5A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
170mOhm @ 5.8A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 1mA
Vgs (max.)
±10V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
560 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
40W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220AB
Emballage / Caisse
TO-220-3
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
500
Autres noms
SP000011187
BTS113A-DG
BTS113A
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
RoHS non-compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
MTP3055VL
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
815
NUMÉRO DE PIÈCE
MTP3055VL-DG
PRIX UNITAIRE
0.60
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFZ24PBF
FABRICANT
Vishay Siliconix
QUANTITÉ DISPONIBLE
357
NUMÉRO DE PIÈCE
IRFZ24PBF-DG
PRIX UNITAIRE
0.54
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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