Numéro de produit du fabricant:
BSZ0911LSATMA1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
BSZ0911LSATMA1-DG
Description:
MOSFET N-CH 30V 12A/40A TSDSON
Description détaillée:
N-Channel 30 V 12A (Ta), 40A (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8 FL
Inventaire:
29980 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12943195
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
BSZ0911LSATMA1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
OptiMOS™ 5
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
12A (Ta), 40A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
7mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
10 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
670 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
-
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TDSON-8 FL
Emballage / Caisse
8-PowerTDFN
Numéro de produit de base
BSZ0911
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
5,000
Autres noms
448-BSZ0911LSATMA1CT
448-BSZ0911LSATMA1DKR
448-BSZ0911LSATMA1TR
SP005424280
SP00542428
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
BSZ0702LSATMA1
MOSFET N-CH 60V 17A/40A TSDSON
UPA2821T1L-E1-AT
MOSFET N-CH 30V 26A 8HWSON
IRF740L
MOSFET N-CH 400V 10A TO220AB
