Numéro de produit du fabricant:
BSS225H6327FTSA1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
BSS225H6327FTSA1-DG
Description:
MOSFET N-CH 600V 90MA SOT89
Description détaillée:
N-Channel 600 V 90mA (Ta) 1W (Ta) Surface Mount PG-SOT89
Inventaire:
5690 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12840990
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SOUMETTRE
BSS225H6327FTSA1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
SIPMOS®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
90mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
45Ohm @ 90mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 94µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
5.8 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
131 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-SOT89
Emballage / Caisse
TO-243AA
Numéro de produit de base
BSS225
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,000
Autres noms
SP001047644
BSS225H6327FTSA1DKR
BSS225H6327FTSA1TR
BSS225H6327FTSA1CT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
MTB75N05HDT4
MOSFET N-CH 50V 75A D2PAK
NTJS4160NT1G
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