BSS205NH6327XTSA1
Numéro de produit du fabricant:

BSS205NH6327XTSA1

Product Overview

Fabricant:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Numéro de pièce:

BSS205NH6327XTSA1-DG

Description:

MOSFET N-CH 20V 2.5A SOT23-3
Description détaillée:
N-Channel 20 V 2.5A (Ta) 500mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23

Inventaire:

35030 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12826224
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SOUMETTRE

BSS205NH6327XTSA1 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
OptiMOS™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
20 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
2.5A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
50mOhm @ 2.5A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.2V @ 11µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
3.2 nC @ 4.5 V
Vgs (max.)
±12V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
419 pF @ 10 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
500mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-SOT23
Emballage / Caisse
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numéro de produit de base
BSS205

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
BSS205N H6327
BSS205NH6327XTSA1CT
BSS205NH6327XTSA1DKR
SP000929180
BSS205N H6327TR-DG
BSS205N H6327CT-DG
2156-BSS205NH6327XTSA1TR
BSS205N H6327DKR
BSS205N H6327DKR-DG
BSS205NH6327XTSA1TR
BSS205N H6327-DG
BSS205N H6327CT
BSS205NH6327

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
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