Numéro de produit du fabricant:
BSS139L6327HTSA1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
BSS139L6327HTSA1-DG
Description:
MOSFET N-CH 250V 100MA SOT23-3
Description détaillée:
N-Channel 250 V 100mA (Ta) 360mW (Ta) Surface Mount PG-SOT23
Inventaire:
12801493
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SOUMETTRE
BSS139L6327HTSA1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
-
Série
SIPMOS®
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
250 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
100mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
0V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
14Ohm @ 0.1mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 56µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
3.5 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
76 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
Depletion Mode
Dissipation de puissance (max.)
360mW (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-SOT23
Emballage / Caisse
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
SP000247295
BSS139 L6327-DG
BSS139L6327HTSA1TR
BSS139 L6327
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
BSS139H6327XTSA1
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
13483
NUMÉRO DE PIÈCE
BSS139H6327XTSA1-DG
PRIX UNITAIRE
0.14
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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