BSR316PH6327XTSA1
Numéro de produit du fabricant:

BSR316PH6327XTSA1

Product Overview

Fabricant:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Numéro de pièce:

BSR316PH6327XTSA1-DG

Description:

MOSFET P-CH 100V 360MA SC59
Description détaillée:
P-Channel 100 V 360mA (Ta) 500mW (Tc) Surface Mount PG-SC59-3

Inventaire:

14371 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12801621
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SOUMETTRE

BSR316PH6327XTSA1 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
SIPMOS®
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
360mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
1.8Ohm @ 360mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 170µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
7 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
165 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
500mW (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-SC59-3
Emballage / Caisse
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3
Numéro de produit de base
BSR316

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
SP001101034
BSR316PH6327XTSA1-DG
2832-BSR316PH6327XTSA1
BSR316PH6327XTSA1CT
BSR316PH6327XTSA1TR
BSR316PH6327XTSA1DKR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.21.0095
Certification DIGI
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