Numéro de produit du fabricant:
BSP324L6327HTSA1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
BSP324L6327HTSA1-DG
Description:
MOSFET N-CH 400V 170MA SOT223-4
Description détaillée:
N-Channel 400 V 170mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4-21
Inventaire:
12798379
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SOUMETTRE
BSP324L6327HTSA1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
-
Série
SIPMOS®
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
400 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
170mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
25Ohm @ 170mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 94µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
5.9 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
154 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.8W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-SOT223-4-21
Emballage / Caisse
TO-261-4, TO-261AA
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,000
Autres noms
BSP324 L6327-DG
BSP324L6327HTSA1DKR
BSP324 L6327TR-DG
BSP324 L6327
BSP324L6327XT
BSP324 L6327CT
BSP324 L6327CT-DG
BSP324L6327HTSA1TR
BSP324L6327
BSP324 L6327DKR
BSP324 L6327DKR-DG
BSP324L6327HTSA1CT
SP000089203
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
BSP324H6327XTSA1
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
3626
NUMÉRO DE PIÈCE
BSP324H6327XTSA1-DG
PRIX UNITAIRE
0.25
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certification DIGI
Produits Connexes
AUIRFR2607ZTRL
MOSFET N-CH 75V 42A DPAK
BSP129H6327XTSA1
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
BSP129H6906XTSA1
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
