Numéro de produit du fabricant:
BSP316PE6327T
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
BSP316PE6327T-DG
Description:
MOSFET P-CH 100V 680MA SOT223-4
Description détaillée:
P-Channel 100 V 680mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Inventaire:
12852182
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SOUMETTRE
BSP316PE6327T Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
-
Série
SIPMOS®
État du produit
Obsolete
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
680mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
1.8Ohm @ 680mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 170µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
6.4 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
146 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.8W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-SOT223-4
Emballage / Caisse
TO-261-4, TO-261AA
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,000
Autres noms
SP000014249
BSP316PE6327XTINCT
BSP316PE6327XTINTR
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
BSP316PH6327XTSA1
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
32779
NUMÉRO DE PIÈCE
BSP316PH6327XTSA1-DG
PRIX UNITAIRE
0.29
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certification DIGI
Produits Connexes
MGSF1N02ELT1G
MOSFET POWER 750MA 20V SOT-23
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