Numéro de produit du fabricant:
BSP300L6327HUSA1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
BSP300L6327HUSA1-DG
Description:
MOSFET N-CH 800V 190MA SOT223-4
Description détaillée:
N-Channel 800 V 190mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4-21
Inventaire:
12830416
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SOUMETTRE
BSP300L6327HUSA1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
-
Série
SIPMOS®
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
800 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
190mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
20Ohm @ 190mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
230 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.8W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-SOT223-4-21
Emballage / Caisse
TO-261-4, TO-261AA
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,000
Autres noms
BSP300L6327HUSA1TR
INFINFBSP300L6327HUSA1
BSP300L6327XT
BSP300 L6327
2156-BSP300L6327HUSA1-ITTR
BSP300 L6327-DG
SP000089201
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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