Numéro de produit du fabricant:
BSP129L6327HTSA1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
BSP129L6327HTSA1-DG
Description:
MOSFET N-CH 240V 350MA SOT223-4
Description détaillée:
N-Channel 240 V 350mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4-21
Inventaire:
12847908
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SOUMETTRE
BSP129L6327HTSA1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
-
Série
SIPMOS®
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
240 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
350mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
0V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
6Ohm @ 350mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 108µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
5.7 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
108 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
Depletion Mode
Dissipation de puissance (max.)
1.8W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-SOT223-4-21
Emballage / Caisse
TO-261-4, TO-261AA
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,000
Autres noms
INFINFBSP129L6327HTSA1
SP000089218
BSP129L6327HTSA1TR
BSP129 L6327-DG
BSP129 L6327
2156-BSP129L6327HTSA1-ITTR
BSP129L6327XT
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
BSP129H6327XTSA1
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
4926
NUMÉRO DE PIÈCE
BSP129H6327XTSA1-DG
PRIX UNITAIRE
0.29
TYPE DE SUBSTITUT
Parametric Equivalent
Certification DIGI
Produits Connexes
NTMS5835NLR2G
MOSFET N-CH 40V 9.2A 8SOIC
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HUF76633S3ST
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