Numéro de produit du fabricant:
BSP125H6433XTMA1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
BSP125H6433XTMA1-DG
Description:
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Description détaillée:
N-Channel 600 V 120mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Inventaire:
4900 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12861660
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SOUMETTRE
BSP125H6433XTMA1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
SIPMOS™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
120mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 94µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
6.6 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
150 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.8W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-SOT223-4
Emballage / Caisse
TO-261-4, TO-261AA
Numéro de produit de base
BSP125
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
4,000
Autres noms
SP001058578
BSP125H6433XTMA1DKR
BSP125H6433XTMA1TR
BSP125H6433XTMA1CT
2156-BSP125H6433XTMA1
BSP125H6433XTMA1-DG
INFINFBSP125H6433XTMA1
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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