Numéro de produit du fabricant:
BSP125H6327XTSA1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
BSP125H6327XTSA1-DG
Description:
MOSFET N-CH 600V 120MA SOT223-4
Description détaillée:
N-Channel 600 V 120mA (Ta) 1.8W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Inventaire:
27360 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12799993
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
BSP125H6327XTSA1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
SIPMOS®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
120mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
45Ohm @ 120mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.3V @ 94µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
6.6 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
150 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.8W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-SOT223-4
Emballage / Caisse
TO-261-4, TO-261AA
Numéro de produit de base
BSP125
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,000
Autres noms
SP001058576
BSP125H6327XTSA1TR
BSP125H6327XTSA1CT
BSP125H6327XTSA1DKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
BSZ040N04LSGATMA1
MOSFET N-CH 40V 18A/40A 8TSDSON
IPA70R600P7SXKSA1
MOSFET N-CH 700V 8.5A TO220
IPA60R280P6XKSA1
MOSFET N-CH 600V 13.8A TO220-FP
