Numéro de produit du fabricant:
BSP123L6327HTSA1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
BSP123L6327HTSA1-DG
Description:
MOSFET N-CH 100V 370MA SOT223-4
Description détaillée:
N-Channel 100 V 370mA (Ta) 1.79W (Ta) Surface Mount PG-SOT223-4
Inventaire:
12800677
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SOUMETTRE
BSP123L6327HTSA1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
-
Série
SIPMOS®
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
370mA (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
2.8V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
6Ohm @ 370mA, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
1.8V @ 50µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
2.4 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
70 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1.79W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-SOT223-4
Emballage / Caisse
TO-261-4, TO-261AA
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,000
Autres noms
BSP123INCT-DG
BSP123L6327HTSA1DKR
BSP123
BSP123INTR
BSP123INDKR-DG
BSP123INTR-DG
BSP123L6327HTSA1TR
BSP123 L6327-DG
BSP123L6327-DG
BSP123L6327INCT-DG
BSP123L6327
BSP123L6327XT
BSP123L6327INDKR-DG
BSP123L6327INCT
BSP123L6327INDKR
BSP123L6327INTRINACTIVE
BSP123INCT
BSP123L6327INCTINACTIVE
BSP123 L6327
BSP123L6327TR
SP000089202
BSP123L6327HTSA1CT
BSP123L6327TR-DG
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
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