Numéro de produit du fabricant:
BSC110N15NS5SCATMA1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
BSC110N15NS5SCATMA1-DG
Description:
TRENCH >=100V
Description détaillée:
N-Channel 150 V 76A (Tc) 125W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Inventaire:
6335 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12988990
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SOUMETTRE
BSC110N15NS5SCATMA1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Série
OptiMOS™ 5
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
150 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
76A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
8V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
11mOhm @ 38A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4.6V @ 91µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
35 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2770 pF @ 75 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
125W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TDSON-8-7
Emballage / Caisse
8-PowerTDFN
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
4,000
Autres noms
448-BSC110N15NS5SCATMA1TR
SP005561075
448-BSC110N15NS5SCATMA1CT
448-BSC110N15NS5SCATMA1DKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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