Numéro de produit du fabricant:
BSC040N10NS5ATMA1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
BSC040N10NS5ATMA1-DG
Description:
MOSFET N-CH 100V 100A TDSON
Description détaillée:
N-Channel 100 V 100A (Tc) 2.5W (Ta), 139W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7
Inventaire:
13720 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12843981
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
BSC040N10NS5ATMA1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
OptiMOS™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
100A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
6V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
4mOhm @ 50A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.8V @ 95µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
72 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
5300 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.5W (Ta), 139W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TDSON-8-7
Emballage / Caisse
8-PowerTDFN
Numéro de produit de base
BSC040
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
5,000
Autres noms
BSC040N10NS5ATMA1DKR
SP001295030
BSC040N10NS5ATMA1-DG
BSC040N10NS5ATMA1CT
BSC040N10NS5ATMA1TR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
AOY2610E
MOSFET N-CHANNEL 60V 19A TO251B
AOB409L
MOSFET P-CH 60V 5A/31.5A TO263
AOB7S60L
MOSFET N-CH 600V 7A TO263
