Numéro de produit du fabricant:
BSC020N03MSGATMA1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
BSC020N03MSGATMA1-DG
Description:
MOSFET N-CH 30V 25A/100A TDSON
Description détaillée:
N-Channel 30 V 25A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-1
Inventaire:
32523 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12798775
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SOUMETTRE
BSC020N03MSGATMA1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
OptiMOS™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
30 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
25A (Ta), 100A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
2mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
124 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
9600 pF @ 15 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.5W (Ta), 96W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TDSON-8-1
Emballage / Caisse
8-PowerTDFN
Numéro de produit de base
BSC020
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
5,000
Autres noms
BSC020N03MSGINDKR-DG
BSC020N03MSGINTR
2156-BSC020N03MSGATMA1
BSC020N03MSGATMA1DKR
BSC020N03MSGATMA1CT-DGTR-DG
BSC020N03MSGATMA1CT
BSC020N03MSGATMA1DKR-DGTR-DG
BSC020N03MSGXT
BSC020N03MSGINCT
BSC020N03MSG
BSC020N03MSGINTR-DG
BSC020N03MSGINCT-DG
BSC020N03MS G
BSC020N03MSGATMA1TR
SP000311503
IFEINFBSC020N03MSGATMA1
BSC020N03MSGINDKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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