BSC010NE2LSATMA1
Numéro de produit du fabricant:

BSC010NE2LSATMA1

Product Overview

Fabricant:

Infineon Technologies

DiGi Electronics Numéro de pièce:

BSC010NE2LSATMA1-DG

Description:

MOSFET N-CH 25V 39A/100A TDSON
Description détaillée:
N-Channel 25 V 39A (Ta), 100A (Tc) 2.5W (Ta), 96W (Tc) Surface Mount PG-TDSON-8-7

Inventaire:

19280 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12802025
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SOUMETTRE

BSC010NE2LSATMA1 Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
OptiMOS™
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
25 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
39A (Ta), 100A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
1mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
64 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
4700 pF @ 12 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.5W (Ta), 96W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
PG-TDSON-8-7
Emballage / Caisse
8-PowerTDFN
Numéro de produit de base
BSC010

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
BSC010NE2LSATMA1-DG
Fiches techniques
BSC010NE2LSATMA1

Informations supplémentaires

Forfait standard
5,000
Autres noms
BSC010NE2LSCT-DG
BSC010NE2LS-DG
BSC010NE2LSATMA1TR
BSC010NE2LSDKR
BSC010NE2LS
BSC010NE2LSCT
BSC010NE2LSTR-DG
SP000776124
BSC010NE2LSATMA1CT
BSC010NE2LSATMA1DKR
BSC010NE2LSDKR-DG

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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