Numéro de produit du fabricant:
BSB008NE2LXXUMA1
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
BSB008NE2LXXUMA1-DG
Description:
MOSFET N-CH 25V 46A/180A 2WDSON
Description détaillée:
N-Channel 25 V 46A (Ta), 180A (Tc) 2.8W (Ta), 89W (Tc) Surface Mount MG-WDSON-2, CanPAK M™
Inventaire:
12802287
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SOUMETTRE
BSB008NE2LXXUMA1 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Cut Tape (CT) & Digi-Reel®
Série
OptiMOS™
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
25 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
46A (Ta), 180A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
0.8mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
343 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
16000 pF @ 12 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
2.8W (Ta), 89W (Tc)
Température de fonctionnement
-40°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
MG-WDSON-2, CanPAK M™
Emballage / Caisse
3-WDSON
Numéro de produit de base
BSB008
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
5,000
Autres noms
448-BSB008NE2LXXUMA1CT
448-BSB008NE2LXXUMA1TR
SP000880866
448-BSB008NE2LXXUMA1DKR
BSB008NE2LXXUMA1-DG
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
IRF6717MTRPBF
FABRICANT
Infineon Technologies
QUANTITÉ DISPONIBLE
8674
NUMÉRO DE PIÈCE
IRF6717MTRPBF-DG
PRIX UNITAIRE
1.21
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
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