Accueil
Produits
Fabricants
À propos de DiGi
Contactez-nous
Blogs et Articles
Demande de devis
France
Se connecter
Langue sélective
Langue actuelle de votre choix :
France
Interrupteur:
Anglais
Europe
Royaume-Uni
RD Congo
Argentine
Turquie
Roumanie
Lituanie
Norvège
Autriche
Angola
Slovaquie
ltaly
Finlande
Biélorussie
Bulgarie
Danemark
Estonie
Pologne
Ukraine
Slovénie
Tchèque
Grec
Croatie (Hrvatska)
Israël
Monténégro
Russe
Belgique
Suède
Serbie
Basque
Islande
Bosnie
Hongrois
Moldavie
Allemagne
Pays-Bas
Irlande
Asie / Pacifique
Chine
Viêt Nam
Indonésie
Thaïlande
Laos
Filipino
Malaisie
Corée
Japon
Hong Kong
Taiwan
Singapour
Pakistan
Arabie Saoudite
Qatar
Koweït
Cambodge
Myanmar
Afrique, Inde et Moyen-Orient
Émirats arabes unis
Tadjikistan
Madagascar
Inde
Iran
France
Afrique du Sud
Égypte
Kenya
Tanzanie
Ghana
Sénégal
Maroc
Tunisie
Amérique du Sud / Océanie
Nouvelle-Zélande
Portugal
Brésil
Mozambique
Pérou
Colombie
Chili
Venezuela
Équateur
Bolivie
Uruguay
Espagne
Paraguay
Australie
Amérique du Nord
États-Unis
Haïti
Canada
Costa Rica
Mexique
À propos de DiGi
À propos de nous
À propos de nous
Nos Certifications
DiGi Introduction
Pourquoi DiGi
Politique
Politique de qualité
Conditions d'utilisation
Conformité RoHS
Processus de Retour
Ressources
Catégories de produits
Fabricants
Blogs et Articles
Services
Garantie de qualité
Mode de paiement
Expédition mondiale
Tarifs d'expédition
FAQ
Numéro de produit du fabricant:
AUIRLL024N
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
AUIRLL024N-DG
Description:
MOSFET N-CH 55V 3.1A SOT-223
Description détaillée:
N-Channel 55 V 3.1A (Ta) 1W (Ta) Surface Mount SOT-223
Inventaire:
Demande de devis en ligne
12831370
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
*
Société
*
Nom du contact
*
Téléphone
*
E-mail
Adresse de livraison
Message
(
*
) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
AUIRLL024N Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
-
Série
HEXFET®
État du produit
Obsolete
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
55 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
3.1A (Ta)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
65mOhm @ 3.1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
15.6 nC @ 5 V
Vgs (max.)
±16V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
510 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
1W (Ta)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SOT-223
Emballage / Caisse
TO-261-4, TO-261AA
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
AUIRLL024N-DG
Fiches techniques
AUIRLL024N
Informations supplémentaires
Forfait standard
80
Autres noms
SP001521354
Classification environnementale et d'exportation
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Modèles alternatifs
NUMÉRO DE PIÈCE
STN4NF06L
FABRICANT
STMicroelectronics
QUANTITÉ DISPONIBLE
0
NUMÉRO DE PIÈCE
STN4NF06L-DG
PRIX UNITAIRE
0.31
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
NUMÉRO DE PIÈCE
NVF3055L108T1G
FABRICANT
onsemi
QUANTITÉ DISPONIBLE
46437
NUMÉRO DE PIÈCE
NVF3055L108T1G-DG
PRIX UNITAIRE
0.32
TYPE DE SUBSTITUT
MFR Recommended
Certification DIGI
Produits Connexes
BUK9M9R1-40EX
MOSFET N-CH 40V 64A LFPAK33
BUK7535-100A,127
MOSFET N-CH 100V 41A TO220AB
PSMN012-100YS,115
MOSFET N-CH 100V 60A LFPAK56
BSS84AKW,115
MOSFET P-CH 50V 150MA SOT323