Numéro de produit du fabricant:
AUIRF7799L2TR
Product Overview
Fabricant:
Infineon Technologies
DiGi Electronics Numéro de pièce:
AUIRF7799L2TR-DG
Description:
MOSFET N-CH 250V 375A DIRECTFET
Description détaillée:
N-Channel 250 V 375A (Tc) 4.3W (Ta), 125W (Tc) Surface Mount DirectFET™ Isometric L8
Inventaire:
12801892
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SOUMETTRE
AUIRF7799L2TR Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Infineon Technologies
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
HEXFET®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
250 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
375A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
38mOhm @ 21A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
165 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
6714 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
4.3W (Ta), 125W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 175°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
DirectFET™ Isometric L8
Emballage / Caisse
DirectFET™ Isometric L8
Numéro de produit de base
AUIRF7799
Fiche technique & Documents
Fiche de Données HTML
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
4,000
Autres noms
SP001522796
448-AUIRF7799L2TRCT
448-AUIRF7799L2TRDKR
448-AUIRF7799L2TR
AUIRF7799L2TR-DG
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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