ICE20N60EFP
Numéro de produit du fabricant:

ICE20N60EFP

Product Overview

Fabricant:

IceMOS Technology

DiGi Electronics Numéro de pièce:

ICE20N60EFP-DG

Description:

Superjunction MOSFET
Description détaillée:
N-Channel 600 V 20A (Tc) 35W (Tc) Through Hole TO-220FP

Inventaire:

900 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12990374
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SOUMETTRE

ICE20N60EFP Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
IceMOS Technology
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
600 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
20A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
190mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3.9V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
59 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
2064 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
35W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220FP
Emballage / Caisse
TO-220-3 Full Pack, Isolated Tab

Fiche technique & Documents

Fiche de Données HTML
ICE20N60EFP-DG
Fiches techniques
ICE20N60EFP

Informations supplémentaires

Forfait standard
50
Autres noms
5133-ICE20N60EFP

Classification environnementale et d'exportation

ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
certification_01
certification_02
certification_03
certification_04
cr
certification_015
certification_08
esd
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