Numéro de produit du fabricant:
RFL4N15
Product Overview
Fabricant:
Harris Corporation
DiGi Electronics Numéro de pièce:
RFL4N15-DG
Description:
SMALL SIGNAL N-CHANNEL MOSFET
Description détaillée:
N-Channel 150 V 4A (Tc) 8.33W (Tc) Through Hole TO-205AF (TO-39)
Inventaire:
1187 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12938038
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SOUMETTRE
RFL4N15 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Emballage
Bulk
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
150 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
4A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
400mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 1mA
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
850 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
8.33W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-205AF (TO-39)
Emballage / Caisse
TO-205AF Metal Can
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
272
Autres noms
2156-RFL4N15
HARHARRFL4N15
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
RoHS non-compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
UPA1526H-AZ
N-CHANNEL POWER MOSFET
RFG75N05E
N-CHANNEL POWER MOSFET
NTD78N03R-001
N-CHANNEL POWER MOSFET
