Numéro de produit du fabricant:
RF1S25N06SM
Product Overview
Fabricant:
Harris Corporation
DiGi Electronics Numéro de pièce:
RF1S25N06SM-DG
Description:
N-CHANNEL POWER MOSFET
Description détaillée:
N-Channel 60 V 25A Surface Mount TO-263AB
Inventaire:
3005 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12938149
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SOUMETTRE
RF1S25N06SM Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Emballage
Bulk
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
25A
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
-
rds activé (max) @ id, vgs
-
Vgs(th) (Max) @ Id
-
Vgs (max.)
-
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
-
Température de fonctionnement
-
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-263AB
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
460
Autres noms
2156-RF1S25N06SM
HARHARRF1S25N06SM
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
RoHS non-compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
2SJ143(2)-S6-AZ
P-CHANNEL POWER MOSFET
MTV32N20E
N-CHANNEL POWER MOSFET
NVHL040N120SC1
SICFET N-CH 1200V 60A TO247-3
