Numéro de produit du fabricant:
IRF820
Product Overview
Fabricant:
Harris Corporation
DiGi Electronics Numéro de pièce:
IRF820-DG
Description:
2.5A, 500V, 3.000 OHM, N-CHANNEL
Description détaillée:
N-Channel 500 V 4A (Tc) 80W (Tc) Through Hole TO-220AB
Inventaire:
3895 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12941203
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SOUMETTRE
IRF820 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Emballage
Bulk
Série
PowerMESH™ II
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
500 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
4A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
3Ohm @ 1.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
17 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
315 pF @ 25 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
80W (Tc)
Température de fonctionnement
150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220AB
Emballage / Caisse
TO-220-3
Numéro de produit de base
IRF8
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
503
Autres noms
2156-IRF820
HARHARIRF820
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
RoHS non-compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
1 (Unlimited)
Statut REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
0000.00.0000
Certification DIGI
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