Numéro de produit du fabricant:
GT750P10K
Product Overview
Fabricant:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
GT750P10K-DG
Description:
P-CH,-100V,-24A,RD(MAX)<85M@-10V
Description détaillée:
P-Channel 100 V 24A (Tc) 79W (Tc) Surface Mount TO-252
Inventaire:
928 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13004000
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SOUMETTRE
GT750P10K Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Goford Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
-
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
24A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
85mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
40 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1940 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
79W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-252
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
3141-GT750P10KTR
3141-GT750P10KCT
3141-GT750P10KDKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
RoHS Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
3 (168 Hours)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
SIHK155N60E-T1-GE3
E SERIES POWER MOSFET POWERPAK 1
GT023N10M
N100V,140A,RD<2.7M@10V,VTH2.7V~4
