GT6K2P10IH
Numéro de produit du fabricant:

GT6K2P10IH

Product Overview

Fabricant:

Goford Semiconductor

DiGi Electronics Numéro de pièce:

GT6K2P10IH-DG

Description:

MOSFET P-CH 100V 1A SOT-23
Description détaillée:
P-Channel 1A (Tc) 1.4W (Tc) Surface Mount SOT-23-3

Inventaire:

15000 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12977638
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SOUMETTRE

GT6K2P10IH Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Goford Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
SGT
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Courant - drain continu (id) @ 25°C
1A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
670mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Vgs (max.)
±20V
Fonctionnalité FET
Standard
Dissipation de puissance (max.)
1.4W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SOT-23-3
Emballage / Caisse
TO-236-3, SC-59, SOT-23-3

Informations supplémentaires

Forfait standard
3,000
Autres noms
4822-GT6K2P10IHTR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
RoHS non-compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
3 (168 Hours)
Statut REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0000
Certification DIGI
Produits Connexes
toshiba-semiconductor-and-storage

TPH9R00CQH,LQ

UMOS10 SOP-ADV(N) 150V 9MOHM

onsemi

FDS9435ANBAD008

MOSFET P-CH 30V 5.3A 8-SOIC

rohm-semi

RD3U041AAFRATL

MOSFET N-CH 250V 4A TO252

vishay-siliconix

SIHG11N80AE-GE3

MOSFET N-CH 800V 8A TO247AC