Numéro de produit du fabricant:
GT55N06D5
Product Overview
Fabricant:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
GT55N06D5-DG
Description:
N60V,RD(MAX)<8M@10V,RD(MAX)<13M@
Description détaillée:
N-Channel 60 V 45A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount 8-DFN (4.9x5.75)
Inventaire:
4751 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12975393
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SOUMETTRE
GT55N06D5 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Goford Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
SGT
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
45A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
9mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1988 pF @ 30 V
Fonctionnalité FET
Standard
Dissipation de puissance (max.)
69W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-DFN (4.9x5.75)
Emballage / Caisse
8-PowerTDFN
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
5,000
Autres noms
3141-GT55N06D5TR
3141-GT55N06D5CT
3141-GT55N06D5DKR
4822-GT55N06D5TR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
3 (168 Hours)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
PMV28ENER
PMV28ENE/SOT23/TO-236AB
MCG53N06A-TP
N-CHANNEL MOSFET,DFN3333
SIB4317EDK-T1-GE3
P-CHANNEL 30-V (D-S) MOSFET POWE
