Numéro de produit du fabricant:
GT110N06D5
Product Overview
Fabricant:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
GT110N06D5-DG
Description:
N60V, 45A,RD<11M@10V,VTH1.0V~2.4
Description détaillée:
N-Channel 60 V 45A (Tc) 69W (Tc) Surface Mount 8-DFN (4.9x5.75)
Inventaire:
9996 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12992524
Demander un devis
Quantité
Minimum 1
Minimum 1
(*) est obligatoire
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
Nous vous répondrons dans les 24 heures.
SOUMETTRE
GT110N06D5 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Goford Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
GT
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
45A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
11mOhm @ 14A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
31 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
1202 pF @ 30 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
69W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-DFN (4.9x5.75)
Emballage / Caisse
8-PowerTDFN
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
5,000
Autres noms
3141-GT110N06D5CT
3141-GT110N06D5TR
3141-GT110N06D5DKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Certification DIGI
Produits Connexes
MCU20N06B-TP
MOSFET N-CH 60VDS 20VGS 20A 4.1N
TPHR9003NL1,LQ
UMOS9 SOP-ADV(N) PD=78W F=1MHZ
SI2324-TP
MOSFET N-CH ENH FET 100VDS 2A 8A
