Numéro de produit du fabricant:
GT100N12M
Product Overview
Fabricant:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
GT100N12M-DG
Description:
MOSFET N-CH 120V 70A TO-263
Description détaillée:
N-Channel 70A (Tc) 100W (Tc) Surface Mount TO-263
Inventaire:
3000 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12986608
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SOUMETTRE
GT100N12M Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Goford Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
SGT
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Courant - drain continu (id) @ 25°C
70A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
10mOhm @ 35A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Vgs (max.)
±20V
Fonctionnalité FET
Standard
Dissipation de puissance (max.)
100W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-263
Emballage / Caisse
TO-263-3, D2PAK (2 Leads + Tab), TO-263AB
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
1,600
Autres noms
4822-GT100N12MTR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
RoHS non-compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
3 (168 Hours)
Statut REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
DMT6030LFCL-7
MOSFET BVDSS: 41V~60V X1-DFN1616
DMTH4014LFVWQ-7
MOSFET BVDSS: 31V~40V POWERDI333
G02P06
P60V,RD(MAX)<190M@-10V,RD(MAX)<2
