Numéro de produit du fabricant:
GT030N08T
Product Overview
Fabricant:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
GT030N08T-DG
Description:
N85V,200A,RD<3.0M@10V,VTH2.0V~4.
Description détaillée:
N-Channel 85 V 200A (Tc) 260W (Tc) Through Hole TO-220
Inventaire:
12997613
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SOUMETTRE
GT030N08T Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Goford Semiconductor
Emballage
Tube
Série
-
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
85 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
200A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
3mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
112 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
5822 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
260W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220
Emballage / Caisse
TO-220-3
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
50
Autres noms
3141-GT030N08T
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
RoHS Compliant
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0000
Certification DIGI
Produits Connexes
