Numéro de produit du fabricant:
GT025N06AD5
Product Overview
Fabricant:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
GT025N06AD5-DG
Description:
N60V, 170A, RD<2.2M@10V,VTH1.2V~
Description détaillée:
N-Channel 60 V 170A (Tc) 104W (Tc) Surface Mount 8-DFN (4.9x5.75)
Inventaire:
4641 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12995441
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SOUMETTRE
GT025N06AD5 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Goford Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
SGT
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
60 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
170A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
2.2mOhm @ 20A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
81 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
5044 pF @ 30 V
Fonctionnalité FET
-
Dissipation de puissance (max.)
104W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-DFN (4.9x5.75)
Emballage / Caisse
8-PowerTDFN
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
5,000
Autres noms
3141-GT025N06AD5CT
3141-GT025N06AD5TR
3141-GT025N06AD5DKR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
RoHS Compliant
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
