Numéro de produit du fabricant:
GC11N65D5
Product Overview
Fabricant:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
GC11N65D5-DG
Description:
N650V, 11A,RD<360M@10V,VTH2.5V~4
Description détaillée:
N-Channel 650 V 11A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount 8-DFN (4.9x5.75)
Inventaire:
13001688
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SOUMETTRE
GC11N65D5 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Goford Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
G
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
650 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
11A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
10V
rds activé (max) @ id, vgs
360mOhm @ 5.5A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
4V @ 250µA
Vgs (max.)
±30V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
901 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
Standard
Dissipation de puissance (max.)
78W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
8-DFN (4.9x5.75)
Emballage / Caisse
8-PowerTDFN
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
5,000
Autres noms
3141-GC11N65D5DKR
4822-GC11N65D5TR
3141-GC11N65D5TR
3141-GC11N65D5CT
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
Certification DIGI
Produits Connexes
IPP026N04NF2SAKMA1
TRENCH PG-TO220-3
MSC035SMA070J
MOSFET SIC 700 V 35 MOHM SOT-227
SIJH5800E-T1-GE3
N-CHANNEL 80 V (D-S) 175C MOSFET
