G70N04T
Numéro de produit du fabricant:

G70N04T

Product Overview

Fabricant:

Goford Semiconductor

DiGi Electronics Numéro de pièce:

G70N04T-DG

Description:

N40V,RD(MAX)<7M@10V,RD(MAX)<12M@
Description détaillée:
N-Channel 40 V 70A (Tc) 104W (Tc) Through Hole TO-220

Inventaire:

36 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12978370
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SOUMETTRE

G70N04T Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Goford Semiconductor
Emballage
Tube
Série
TrenchFET®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
40 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
70A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
7mOhm @ 30A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
50 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
4010 pF @ 20 V
Fonctionnalité FET
Standard
Dissipation de puissance (max.)
104W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Through Hole
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-220
Emballage / Caisse
TO-220-3

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
50
Autres noms
3141-G70N04T
4822-G70N04T

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
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