Numéro de produit du fabricant:
G66
Product Overview
Fabricant:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
G66-DG
Description:
MOSFET P-CH 16V 5.8A DFN2*2-6L
Description détaillée:
P-Channel 5.8A (Tc) 1.7W (Tc) Surface Mount 6-DFN (2x2)
Inventaire:
13001951
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SOUMETTRE
G66 Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Goford Semiconductor
Emballage
-
Série
TrenchFET®
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Courant - drain continu (id) @ 25°C
5.8A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
2.5V, 4.5V
rds activé (max) @ id, vgs
45mOhm @ 4.1A, 4.5V
Vgs(th) (Max) @ Id
1V @ 250µA
Vgs (max.)
±8V
Fonctionnalité FET
Standard
Dissipation de puissance (max.)
1.7W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
6-DFN (2x2)
Emballage / Caisse
6-WDFN Exposed Pad
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
4822-G66TR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
RoHS non-compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
3 (168 Hours)
Statut REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
Certification DIGI
Produits Connexes
FCPF360N65S3R0-F154
MOSFET N-CH 500V 12A TO-220F
IPP023N10N5XKSA1
TRENCH >=100V
RS1P090ATTB1
PCH -100V -33A POWER MOSFET: RS1
