Numéro de produit du fabricant:
G2K3N10H
Product Overview
Fabricant:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
G2K3N10H-DG
Description:
MOSFET, N-CH,100V, 2A,SOT-223
Description détaillée:
N-Channel 100 V 2A (Tc) 2.4W (Tc) Surface Mount SOT-223
Inventaire:
2265 Pièces Nouvelles Originales En Stock
13001316
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SOUMETTRE
G2K3N10H Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Goford Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Tension de vidange à la source (Vdss)
100 V
Courant - drain continu (id) @ 25°C
2A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
220mOhm @ 2A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2V @ 250µA
Charge de porte (Qg) (Max) @ Vgs
13 nC @ 10 V
Vgs (max.)
±20V
Capacité d’entrée (ciss) (max) @ vds
434 pF @ 50 V
Fonctionnalité FET
Standard
Dissipation de puissance (max.)
2.4W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SOT-223
Emballage / Caisse
TO-261-4, TO-261AA
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
2,500
Autres noms
3141-G2K3N10HCT
3141-G2K3N10HDKR
4822-G2K3N10HTR
3141-G2K3N10HTR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
ROHS3 Compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
3 (168 Hours)
Statut REACH
REACH Unaffected
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
TSM070NH04CV RGG
40V, 54A, SINGLE N-CHANNEL POWER
TSM680P06CH
-60V, -18A, SINGLE P-CHANNEL POW
GT095N10K
N100V, RD(MAX)<10.5M@10V,RD(MAX)