G26P04K
Numéro de produit du fabricant:

G26P04K

Product Overview

Fabricant:

Goford Semiconductor

DiGi Electronics Numéro de pièce:

G26P04K-DG

Description:

MOSFET P-CH 40V 26A TO-252
Description détaillée:
P-Channel 26A (Tc) 78W (Tc) Surface Mount TO-252

Inventaire:

100000 Pièces Nouvelles Originales En Stock
12986150
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SOUMETTRE

G26P04K Spécifications techniques

Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Goford Semiconductor
Emballage
Tape & Reel (TR)
Série
TrenchFET®
État du produit
Active
FET Type
P-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Courant - drain continu (id) @ 25°C
26A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
18mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
2.5V @ 250µA
Vgs (max.)
±20V
Fonctionnalité FET
Standard
Dissipation de puissance (max.)
78W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
TO-252
Emballage / Caisse
TO-252-3, DPAK (2 Leads + Tab), SC-63

Fiche technique & Documents

Fiches techniques

Informations supplémentaires

Forfait standard
2,500
Autres noms
4822-G26P04KTR

Classification environnementale et d'exportation

Statut RoHS
RoHS non-compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
3 (168 Hours)
Statut REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
micro-commercial-components

MCACD40N03-TP

N-CHANNEL MOSFET, DFN5060

nexperia

BUK9Y22-60ELX

SINGLE N-CHANNEL 60 V, 15 MOHM L

goford-semiconductor

GT105N10F

MOSFET N-CH 100V 33A TO-220F

infineon-technologies

IAUZ40N08S5N100ATMA1

MOSFET N-CH 75V 80A 8TSDSON