Numéro de produit du fabricant:
G2002A
Product Overview
Fabricant:
Goford Semiconductor
DiGi Electronics Numéro de pièce:
G2002A-DG
Description:
MOSFET N-CH 200V 2A SOT-23-6L
Description détaillée:
N-Channel 2A (Tc) 2.5W (Tc) Surface Mount SOT-23-6L
Inventaire:
13002129
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SOUMETTRE
G2002A Spécifications techniques
Catégorie
FETs, MOSFETs, Transistors à effet de champ simples, MOSFETs
Fabricant
Goford Semiconductor
Emballage
-
Série
TrenchFET®
État du produit
Active
FET Type
N-Channel
Technologie
MOSFET (Metal Oxide)
Courant - drain continu (id) @ 25°C
2A (Tc)
Tension d’entraînement (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
rds activé (max) @ id, vgs
540mOhm @ 1A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id
3V @ 250µA
Vgs (max.)
±20V
Fonctionnalité FET
Standard
Dissipation de puissance (max.)
2.5W (Tc)
Température de fonctionnement
-55°C ~ 150°C (TJ)
Type de montage
Surface Mount
Ensemble d’appareils du fournisseur
SOT-23-6L
Emballage / Caisse
SOT-23-6
Fiche technique & Documents
Fiches techniques
Informations supplémentaires
Forfait standard
3,000
Autres noms
4822-G2002ATR
Classification environnementale et d'exportation
Statut RoHS
RoHS non-compliant
Niveau de sensibilité à l’humidité (MSL)
3 (168 Hours)
Statut REACH
Vendor Undefined
ECCN
EAR99
HTSUS
8541.29.0095
Certification DIGI
Produits Connexes
SI3415C-TP
P-CHANNEL MOSFET, SOT-23
AOB66811L
FET N CHANNEL 80V
MCTL295N06Y-TP
N-CHANNEL MOSFET, TOLL-8L